MMBT3904中文资料

MMBT3904图片

MMBT3904外观图

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厂家：TD
描述：Dated : 27/05/2012 Rev: 02 TOP DYNAMIC MMBT3904 NPN Silicon General Purpose Transistor for switching and amplifier applications. Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 60 V Collector Emitter Voltage V CEO 40 V Emitter Base Voltage V EBO 6 V Collector Current I C 200 mA Power Dissipation P tot 350 mW Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C SOT-23 Plastic Package
标准包装：3,000
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 单路
系列：-
晶体管类型：NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：100 @ 10mA，1V
功率 - 最大：350mW
频率 - 转换：300MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装：SOT-23
包装：带卷 (TR)
其它名称：MMBT3904FSTR

更新时间:2022-12-31 02:52:44

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MMBT3904
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